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PE-ALD（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition System）等离子增强原子层沉积系统
基片尺寸：8英寸及以下；
基片加热温度：室温～400℃，控制精度±0.1℃；
前驱体系统： 3路前驱体管路，增加其他前驱体源可选配；
前驱体源加热温度：25℃～200℃，控制精度±0.1℃；
ALD阀：Swagelok快速高温ALD专用阀；
本底真空：< 2x10-1Pa，进口防腐泵；
载气系统：N2或者Ar；
等离子体源：13.56MHz射频电源，功率0～300W（感应耦合远程等离子体）；
等离子体放电气源：标准3路，可选配；
控制系统：PLC+触摸屏或电脑程序控制；
电源：50～60Hz，220V/20A交流电源；
沉积非均匀性：非均匀性＜±2% (1δ)
设备尺寸：1000mm x 750mm x 1600mm
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