|
DBD ALD （Dielectric Barrier Discharge Deposition System）介质阻挡放电原子层沉积系统
基片尺寸：6英寸、8英寸、12英寸；
加热温度：25℃～400℃（可选配更高温度）；
薄膜不均匀性：< ± 2 % (1δ)
前驱体数：4路（可选配6路）；
源瓶加热温度：25℃～200℃，控制精度±0.1℃；
ALD阀：Swagelok快速高温ALD专用阀；
本底真空：< 2x10-1Pa，进口防腐泵；
控制系统：配备控制电脑，全自动电脑控制，自动工艺控制软件；或选择触摸屏系统控制。
电源： 交流电源220V/20A，50～60Hz
设备尺寸：～650 mm (L) x 600 mm (W) x 1000 mm (H)；
|
